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学术活动 |
北京大学魏贤龙研究员报告通知
发表日期：2012-11-18
报告题目：碳纳米材料原子厚度表面电子发射的研究
报告人：魏贤龙 研究员，北京大学电子系
邀请人：金传洪 教授
报告时间：2012年11月19日10:30
报告地点：电镜中心会议室（教十一1楼）
内容简介：
具有原子层厚度的碳纳米材料（碳纳米管、石墨烯等）由于具有独特的物理性质，被认为是非常具有前景的电子发射材料，其电子发射特性被广泛地关注和研究。但是目前的研究主要集中于碳纳米管尖端和石墨烯边缘的场电子发射，垂直于碳纳米管侧壁和石墨烯单原子面的电子发射却鲜有关注。相比于三维材料中的电子，原子层厚度的材料中的电子具有两个特点：（i）电子在厚度方向上被局限在一个量子阱中，（ii）所有电子均处于表面。在这里我们将首先从理论上探讨这两个特点对电子发射的影响。我们发现已有的描述电子发射的模型不能够用来描述原子层厚度材料表面的电子发射，因而提出了考虑了量子阱限制的电子发射模型。在实验上，我们研究了两端施加电压的单根碳纳米管和石墨烯纳米带表面的电子发射，并利用所提出的电子发射模型很好地描述了实验所测曲线。我们发现，低尺度低维度的特性使得碳纳米材料表面的电子发射可以以新的机制发生，即内电场驱动下的声子助电子发射。通过这种发射机制，材料中的内电场在电子发射过程中起直接作用。基于该发射机制，有希望实现低工作电压、低工作温度、高发射电流密度的电子源。
报告人简介：
魏贤龙09年7月毕业于北京大学电子学系，并获博士学位。之后他前往日本国立材料研究所做博士后研究，并于11年4月晋升为该研究所的ICYS研究员(Tenure-track)。今年9月他回北大工作，现为北京大学“百人”研究员。他主要致力于在电子显微镜中原位研究单根纳米材料的操控和物性。
